| 产品特性：驱动 | 品牌：南麟 | 型号：LN8322QR-G |
| 封装： DFNWB3*3-8L | 批号：2022 | FET类型：1 |
| 漏源电压（Vdss）：1 | 漏极电流(Id)：1 | 漏源导通电阻(RDS On)：1 |
| 栅源电压(Vgs)：1 | 栅极电荷(Qg)：1 | 反向恢复时间：1 |
| 最大耗散功率：1mW | 配置类型：1 | 工作温度范围：1 |
| 安装类型：1 | 应用领域：汽车电子、 新能源 |
LN8322QR-G是一款可驱动高端和低端N沟通MOSFET栅极驱动芯片，可用于同步降压、升降压和半桥拓扑中。
LN8322QR-G内部集成欠压锁死电路可以确保MOSFET在较低的电源电压下处于关断状态，用以提高转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断DRVH\DRVL的输入。
LN8322QR-G内建列区自适功能，可以适应更多规格MOSFET,同时简化设计的繁琐。
LN8322QR-G采用SOP-8/ESOP-8,MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8等封装形式、给方案设计带来更多的选择。
